NAND快閃記憶體被定義為一種非揮發性儲存技術，不需要電源來儲存資料。而 DRAM 是一種隨機存取記憶體 (RSM)，將資料儲存在電晶體中。與 NAND 快閃記憶體相比，DRAM 被認為在隨機存取和讀取操作方面更快。此外，由於其高可擴展性和密度，就實體空間銷售量而言，NAND快閃記憶體能夠比DRAM儲存更多資料。
ID ： IL_888 | 語言： 英文/日文/法文/德文 | 出版商： 白細胞介素 | 格式 ：
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報告編號： IL_55 | 報告語言： 英文/日文/法文/德文 | 出版商： 白細胞介素
