碳化矽(SiC)是一種由矽(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬於寬帶隙(WBG)材料系列。半導體化合物中的物理鍵非常牢固,從而提供了高機械、化學和熱穩定性。此外,寬頻隙和高熱穩定性使得SiC裝置可以在比矽更高的結溫下使用,甚至可以超過200°C。
ID : IL_1023 | 語言: 英文/日文/法文/德文 | 出版商: 白細胞介素 | 格式 :
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報告編號: IL_55 | 報告語言: 英文/日文/法文/德文 | 出版商: 白細胞介素