Marktgröße für Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiter 2023 bis 2032

Siliziumkarbid (SiC) ist eine Halbleiterverbindung, die aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) besteht und zur Familie der Materialien mit großer Bandlücke (WBG) gehört. Die physikalische Bindung in Halbleiterverbindungen ist sehr stark, was wiederum für eine hohe mechanische, chemische und thermische Stabilität sorgt. Darüber hinaus ermöglichen die große Bandlücke und die hohe thermische Stabilität den Einsatz von SiC-Bauelementen bei höheren Sperrschichttemperaturen als Silizium, sogar über 200 °C.

AUSWEIS : IL_1023 | Sprachen : En/Jp/Fr/De | Herausgeber : IL | Format :