Tamaño del mercado de matrices de fotodiodos PIN de InGaAs de 2023 a 2032

Las matrices de fotodiodos PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) son dispositivos semiconductores que se utilizan para detectar y convertir señales luminosas en señales eléctricas. Las matrices constan de múltiples fotodiodos individuales dispuestos en un patrón de cuadrícula o de líneas sobre un único sustrato. Además, los detectores PIN de InGaAs proporcionan una alta eficiencia cuántica de 800 nm a 1700 nm. Presentan baja capacitancia para un ancho de banda extendido, alta resistencia para alta sensibilidad, alta linealidad y uniformidad dentro del dos por ciento en todo el área activa del detector.

IDENTIFICACIÓN : IL_1041 | Idiomas: En/Jp/Fr/De | Editor : IL | Formato :