Taille du marché des réseaux de photodiodes PIN InGaAs 2023 à 2032

Les réseaux de photodiodes PIN InGaAs (Indium Gallium Arsenide) sont des dispositifs semi-conducteurs utilisés pour détecter et convertir les signaux lumineux en signaux électriques. Les réseaux sont constitués de plusieurs photodiodes individuelles disposées selon un motif de grille ou de ligne sur un seul substrat. De plus, les détecteurs PIN InGaAs offrent une efficacité quantique élevée de 800 nm à 1 700 nm. Ils présentent une faible capacité pour une bande passante étendue, une résistance élevée pour une sensibilité élevée, une linéarité élevée et une uniformité inférieure à deux pour cent sur la zone active du détecteur.

IDENTIFIANT : IL_1041 | Langues : En/Jp/Fr/De | Éditeur : IL | Format :